深圳市福田区华尔盛电子商行

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产品分类

电源IC(5)

二极管(222)

三极管(136)

场效应管MOSFET(6)

可控硅IGBT(4)

单片机(14)

电容器(69)

电阻器(108)

电感器(16)

电位器(1)

电源/稳压器(5)

石英晶体器件(18)

声表面器件(2)

连接器/接插件(86)

传感器(5)

保险丝(4)

继电器(9)

电声元件(3)

LED(15)

IRG4BC30KD IRG4BC30K

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IFG4BC30K 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:其他(V) 夹断电压:其他(V) 跨导:其他(μS) 极间电容:其他(pF) 低频噪声系数:其他(dB) 漏极电流:其他(mA) 耗散功率:其他(mW)

供应IRF4905PBF IRF4905

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF4905PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:其他(V) 夹断电压:其他(V) 跨导:其他(μS) 极间电容:其他(pF) 低频噪声系数:其他(dB) 漏极电流:其他(mA) 耗散功率:其他(mW)

FQP7N80C FQPF7N80C TO220

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP7N80C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:AM/调幅 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:A(V) 夹断电压:AA(V) 跨导:A(μS) 极间电容:A(pF) 低频噪声系数:A(dB) 漏极电流:A(mA) 耗散功率:A(mW)

供应STP75NF06 P75NF06

品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP75NF06 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型

FDN327N FDN327

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FDN317N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MW/微波 封装外形:CHIP/小型片状 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:3(V) 夹断电压:3(V) 极间电容:3(pF) 低频噪声系数:3(dB) 漏极电流:3(mA) 耗散功率:3(mW)