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供应场效应管IRF1010 IRF1010E
品牌/商标:IPRS罗德 型号/规格:IRF1010E 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 漏极电流:1010 开启电压:1010 夹断电压:1010 低频噪声系数:1010 极间电容:1010 耗散功率:1010
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IRG4BC30KD IRG4BC30K
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IFG4BC30K 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:其他（V） 夹断电压:其他（V） 跨导:其他（μS） 极间电容:其他（pF） 低频噪声系数:其他（dB） 漏极电流:其他（mA） 耗散功率:其他（mW）
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供应IRF4905PBF IRF4905
品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF4905PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:其他（V） 夹断电压:其他（V） 跨导:其他（μS） 极间电容:其他（pF） 低频噪声系数:其他（dB） 漏极电流:其他（mA） 耗散功率:其他（mW）
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FQP7N80C FQPF7N80C TO220
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP7N80C 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:AM/调幅 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:A（V） 夹断电压:AA（V） 跨导:A（μS） 极间电容:A（pF） 低频噪声系数:A（dB） 漏极电流:A（mA） 耗散功率:A（mW）
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供应STP75NF06 P75NF06
品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STP75NF06 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型
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FDN327N FDN327
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FDN317N 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MW/微波 封装外形:CHIP/小型片状 材料:ALGaAS铝镓砷 开启电压:3（V） 夹断电压:3（V） 极间电容:3（pF） 低频噪声系数:3（dB） 漏极电流:3（mA） 耗散功率:3（mW）